收藏本站
DMN2075U
10
V GS = 8.0V
V GS = 4.5V
10
8
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
8
V DS = 5V
V GS = 2.0V
V GS = 1.5V
6
4
6
4
T A = 150°C
2
2
T A = 125°C
0
0
V GS = 1.2V
0.5 1 1.5 2 2.5
3
0
0
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.5 1 1.5
2
0.06
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.06
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
0.055
0.055
V GS = 4.5V
0.05
0.05
0.045
0.045
0.04
T A = 150°C
T A = 125°C
0.04
0.035
0.03
0.025
V GS = 1.8V
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
0.035
0.03
0.025
0.02
0.015
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.02
0.1
1
10
0.01
0
2
4 6 8 10
1.8
1.6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.06
0.05
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.4
0.04
V GS = 2.5V
I D = 5A
1.2
1.0
V GS = 2.5V
I D = 5A
V GS = 4.5V
I D = 10A
0.03
0.02
V GS = 4.5V
I D = 10A
0.8
0.01
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMN2075U
Document number: DS31837 Rev. 4 - 2
3 of 6
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMN2075UDW-7 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
DMN2100UDM-7 MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
DMN2104L-7 MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
DMN2112SN-7 MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
DMN2114SN-7 MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
DMN2170U-7 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
DMN21D2UFB-7B MOSFET N CH 20V X1-DFN1006-3
DMN2215UDM-7 MOSFET N-CH 20V 2A SOT-26
相关代理商/技术参数
DMN2075UDW-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN2100UDM 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN2100UDM-7 功能描述:MOSFET 900mW 20Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN2104L 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN2104L-7 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN2112SN 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN2112SN_0711 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN2112SN-7 功能描述:MOSFET 20V 1.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube